开年赛道炸场！碳化硅氮化镓迎拐点，产能与需求双向博弈_有色金属行业要闻_长江金属资讯

开年赛道炸场！碳化硅氮化镓迎拐点，产能与需求双向博弈

2026-07-31 来源：长江有色金属网发布人: rlc666

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摘要： 2026 年开年以来，第三代半导体赛道持续引爆市场，三大核心事件成为全网关注焦点：国内多条 8 英寸碳化硅（SiC）产线密集通线量产，国产导电型衬底市占率首次登顶全球；氮化镓（GaN）突破消费电子边界，正式进军车规主驱与 AI 服务器电源赛道；全球厂商加速扩产叠加衬底价格持续下行，“产能过剩论” 与 “需求爆发论” 激烈博弈，成为资本市场核心主线。

2026 年开年以来，第三代半导体赛道持续引爆市场，三大核心事件成为全网关注焦点：国内多条 8 英寸碳化硅（SiC）产线密集通线量产，国产导电型衬底市占率首次登顶全球；氮化镓（GaN）突破消费电子边界，正式进军车规主驱与 AI 服务器电源赛道；全球厂商加速扩产叠加衬底价格持续下行，“产能过剩论” 与 “需求爆发论” 激烈博弈，成为资本市场核心主线。

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